10月14日，三安集成連續(xù)第四次參加電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)（EDICON），與通訊行業(yè)同仁共同探討行業(yè)熱門話題。本次展會(huì)，三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝，為客戶呈現(xiàn)兩場(chǎng)技術(shù)交流分享會(huì)。
三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領(lǐng)域持續(xù)投入，不斷提高工藝水平，第三代HBT工藝可以應(yīng)用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客戶在高頻段消費(fèi)類通訊的應(yīng)用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，可以為客戶提供世界一流的生產(chǎn)能力和性能水平。在展會(huì)期間，砷化鎵射頻事業(yè)部的林義書處長(zhǎng)就5G應(yīng)用市場(chǎng)闡述三安集成的服務(wù)能力。（美通社,2020年10月14日北京）
