Omdia 預測，隨著電動汽車 (EV) 革命的到來，新型半導體將出現(xiàn)爆炸式增長，而功率半導體行業(yè)數(shù)十年的傳統(tǒng)規(guī)范也將受到挑戰(zhàn)。AI 的興起是否會有類似的影響？

Omdia 半導體研究元件高級分析師 Callum Middleton 表示：“對于長期依賴于硅技術(shù)的行業(yè)，新材料制成的器件既能帶來挑戰(zhàn)，也能起到推動作用。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術(shù)成熟度順應了可持續(xù)發(fā)展趨勢，用新材料制造的器件為我們這個能源匱乏的世界帶來顯著的效率提升。”

特斯拉已于 2018 年首次采用多個 SiC 裝置，該技術(shù)由此從實驗室和測試設(shè)計，躍升為主流。電動車市場自此開始起飛，而這些技術(shù)帶來眾多充電速度和續(xù)航里程好處，采用這些技術(shù)的汽車制造商更與日俱增。

這一早期采用證實 SiC 在現(xiàn)實世界的效能和可靠程度。而對于氮化鎵（GaN），手機和筆記本電腦充電器也取得了類似的效果。隨著 AI 的蓬勃發(fā)展，它將給我們的能源供應和分配系統(tǒng)帶來額外的壓力。為了確保充分享受 AI 的好處，并確保以可持續(xù)的方式利用 AI，我們必須確保效率最大化，但這并不一定要以犧牲盈利能力為代價。在數(shù)據(jù)中心的電源中采用 SiC 或 GaN 解決方案可以顯著降低能耗，同時為額外的計算能力釋放空間。

Middleton 總結(jié)道：“雖然這些新穎的設(shè)備和其早數(shù)十年的研究、開發(fā)、測試和工程，可能不會成為頭條新聞，但對實現(xiàn)人工智能的規(guī)模和潛力是不可或缺的。”（美通社頭條）