中國武漢2015年5月11日電 /美通社/ -- 武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC），一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商，今日宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性進展，第一個具有9層結構的存儲測試芯片通過存儲器功能的電學驗證。
2014年年底，武漢新芯公司與存儲器領域的世界級研發(fā)團隊Cypress (原Spansion)組建了聯(lián)合研發(fā)團隊，開始了3D NAND項目的研發(fā)工作。通過各方團隊的并肩合作和傾力攻堅，該項目正按照原計劃高效地向前推進，半年時間內(nèi)，在工藝制程開發(fā)及測試驗證上取得了階段性的成功。
“憑借研發(fā)團隊強大的技術能力和高效的執(zhí)行力，我相信3D NAND項目的后續(xù)研發(fā)及量產(chǎn)工作將繼續(xù)順利地進行。”武漢新芯執(zhí)行長楊士寧博士表示，“此次取得重大進展，表明我們開始掌握世界前沿科技領域的核心技術，并逐漸建立完全自主可控的知識產(chǎn)權，邁入了國際3D NAND技術的競爭行列。我們有信心將自主研發(fā)的3D NAND產(chǎn)品按時推向市場。”
武漢新芯在研發(fā)團隊的創(chuàng)新力與執(zhí)行力得益于長期與中科院微電子研究所展開緊密的合作。在3D NAND項目上，雙方采用了創(chuàng)新的合作模式， 即將雙方的專家在研發(fā)項目與人力資源的管理上，在企業(yè)的平臺上合為一體。這一模式將中科院微電子所深厚的理論背景與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經(jīng)驗有機地相結合，不僅增強了國際合作中的中方團隊的實力，為研究成果共享奠定了堅實的基礎，也為國內(nèi)推廣“產(chǎn)學研用”相結合，提供了方法科學且可行的樣板。
