上海和舊金山2015年7月9日電 /美通社/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡稱“中微”）宣布 Primo SSC AD-RIE?（中微單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備）已交付韓國領(lǐng)先的存儲器制造商。Primo SSC AD-RIE?是中微公司目前先進(jìn)的介質(zhì)刻蝕設(shè)備，可用于1X納米關(guān)鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的 Primo SSC AD-RIE?已在南韓的16納米最關(guān)鍵的刻蝕步驟上實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。這臺交付的設(shè)備將在客戶最先進(jìn)工藝的 3D VNAND試生產(chǎn)線上投入運(yùn)行。

移動電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展、以及大數(shù)據(jù)、社交傳媒的廣泛應(yīng)用，使得人們對存儲器的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。當(dāng)前一代的 2D NAND 工藝很快將無法滿足不斷升級的需求。3D VNAND 代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術(shù)進(jìn)步的領(lǐng)跑者。像存儲故障、光刻圖案技術(shù)的局限性等問題使在 2D NAND 工藝層面很難繼續(xù)向下一代工藝節(jié)點(diǎn)過渡，3D VNAND 則能解決這一難題。3D VNAND 帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產(chǎn)成本。

“認(rèn)識到 3D VNAND 閃存技術(shù)是存儲工藝的未來，我們在研發(fā)上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發(fā)用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術(shù)。”中微副總裁兼存儲及邏輯產(chǎn)品關(guān)鍵客戶大區(qū)總經(jīng)理KI Yoon說道，“能夠在這家領(lǐng)先客戶的 3D VNAND 試生產(chǎn)線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。另外，在這個只有少數(shù)一線刻蝕設(shè)備供應(yīng)商高度競爭的領(lǐng)域，我們相信，我們的工藝質(zhì)量和面對嚴(yán)峻技術(shù)挑戰(zhàn)的快速反應(yīng)能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠?yàn)檫@一重要客戶開發(fā)這項(xiàng)工藝。”

Primo SSC AD-RIE 是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發(fā)的產(chǎn)品。這是中微 Primo 刻蝕產(chǎn)品家族中的最新一代產(chǎn)品。像中微其他所有刻蝕設(shè)備一樣，Primo SSC AD-RIE 具備先進(jìn)的技術(shù)水平、超高的生產(chǎn)效率和較低的生產(chǎn)成本。

中微高管將參加下周（7月14日至16日）在美國舊金山舉辦的美國半導(dǎo)體設(shè)備和材料展覽會 SEMICON West。一年一度的 SEMICON West 展會是全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)精英的重要盛會。

如需了解更多關(guān)于 SSC AD-RIE 和中微其他設(shè)備的信息，請?jiān)L問：http://www.amec-inc.com。