蘇州2025年12月31日 /美通社/ -- 識(shí)光今日發(fā)布最新一代單點(diǎn) SPAD-SoC 芯片，突破性地實(shí)現(xiàn)了 120 m 的最大探測距離和 40 kHz 的最高點(diǎn)頻，具備領(lǐng)先的抗環(huán)境光功能和毫米級(jí)的測距精度，最大化的覆蓋并填補(bǔ)了室內(nèi)外終端應(yīng)用需求，促進(jìn) dToF 3D 感知技術(shù)在掃地機(jī)器人、工業(yè)自動(dòng)化、移動(dòng)機(jī)器人、無人機(jī)等場景中的大批量落地。

此款單點(diǎn) SPAD-SoC 為識(shí)光 SK 系列中的最新一代產(chǎn)品，基于識(shí)光自研的全芯片化架構(gòu)，擁有一貫領(lǐng)先的集成度、配置靈活度和自研片上算法，這也是其能夠突破測距、點(diǎn)頻、精準(zhǔn)度、抗環(huán)境光等核心性能邊界的底層支撐。此款芯片亦集成了 SPAD 陣列、高精度時(shí)鐘采樣矩陣（TDC）、單光子測距引擎（TCSPC）、高并發(fā) dToF 感知算法加速器（DSP）、激光雷達(dá)控制中心（Lidar Controlling Master）、高速數(shù)據(jù)接口等關(guān)鍵模塊，提供了激光雷達(dá)電機(jī)控制、外部算法定制集成等功能，是一個(gè)完整的片上激光雷達(dá)系統(tǒng)。

抗 100 klux 環(huán)境光，穩(wěn)定輸出毫米級(jí)精度

在室外 > 100 klux 的太陽光下使用基于此款芯片的模組探測 8 m 處白板，可以穩(wěn)定達(dá)到毫米級(jí)精度。為了更加精準(zhǔn)全面的展示芯片抗環(huán)境光的能力，我們同時(shí)在室內(nèi)搭建了一個(gè)模擬 100 klux 的測試環(huán)境，使用上述同一模組對(duì)不同反射率物體進(jìn)行探測。

從上述測試中我們可以完整看到，同一模組在 0 klux vs. 100 klux 環(huán)境下，精準(zhǔn)度的劣化程度非常小，且面對(duì)不同反射率的目標(biāo)物也得到了同樣的數(shù)據(jù)結(jié)果。由此我們可以得出，此款芯片可同時(shí)用于室內(nèi)外場景、探測各種目標(biāo)物，且提供同等的高精準(zhǔn)度探測水平。

這一切都得益于識(shí)光 SPAD-SoC 上集成的自研算法，解決了探測過程中同步、濾波、尋峰、降噪、補(bǔ)償?shù)葐栴}，提高了數(shù)據(jù)的信噪比，從而獲得了精準(zhǔn)的距離數(shù)據(jù)。

超高動(dòng)態(tài)范圍，既能達(dá)到最遠(yuǎn) 120 m 的探測距離，又能保持全環(huán)境下的高精度輸出

此款芯片的最大量程為 120 m，我們使用同一模組在室外 > 100  klux 的太陽光環(huán)境下，可以穩(wěn)定獲得 120 m 全量程  3 mm 的精度（高反板）；通過光機(jī)方案的優(yōu)化，則可以獲得更優(yōu)的探測性能。

同時(shí)，我們也在室內(nèi)進(jìn)行了更多的測試，可以看到在 5 m 全量程范圍內(nèi)探測不同反射率的物體，模組精度均可達(dá)到 1 mm，準(zhǔn)度為 ± 4 mm。

基于超高的動(dòng)態(tài)范圍，此款芯片可以向下兼容遠(yuǎn)近距離、高低反射率、強(qiáng)弱光照等全環(huán)境的探測需求，擁有廣闊的應(yīng)用空間。

點(diǎn)頻最高可達(dá) 40 kHz，滿足高角分辨率和高速場景需求

識(shí)光 SPAD-SoC 芯片的高集成度提供了強(qiáng)大的數(shù)據(jù)并行采集處理能力和處理速度，從而支撐了高點(diǎn)頻的實(shí)現(xiàn)，是移動(dòng)機(jī)器人、工業(yè)自動(dòng)化的理想選擇。

典型參數(shù)

識(shí)光最新一代單點(diǎn) SPAD-SoC 首次回片一次點(diǎn)亮，目前已與多個(gè)客戶達(dá)成合作并批量交付。識(shí)光同時(shí)準(zhǔn)備了相應(yīng)的 EVB 開發(fā)套件，方便客戶根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求對(duì)芯片進(jìn)行特定的性能驗(yàn)證。