基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲器解決方案的商用化
三星將繼續(xù)與全球數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、芯片企業(yè)合作，擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)
深圳2023年5月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾®至強®平臺上取得了具有里程碑意義的進展。
繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。
可擴展內(nèi)存（Memory Expander）
“作為CXL聯(lián)盟的董事會成員，三星電子在CXL技術(shù)上一直處于前沿地位，”三星電子新業(yè)務(wù)企劃副總裁Jangseok Choi表示，“這一突破性的進展強化了我們通過與全球各地的數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級服務(wù)器和芯片公司合作，進一步擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)的決心。”
英特爾公司技術(shù)創(chuàng)新總監(jiān)Jim Pappas表示：“英特爾很高興與三星合作，共同投資一個充滿活力的CXL生態(tài)系統(tǒng)。英特爾將繼續(xù)與三星攜手，促進創(chuàng)新CXL產(chǎn)品在整個行業(yè)的發(fā)展和采用。”
瀾起科技總裁Stephen Tai表示：“瀾起科技很高興能夠量產(chǎn)第一批支持CXL 2.0的控制器，我們期待與三星繼續(xù)加強合作，推進CXL技術(shù)發(fā)展并擴大其生態(tài)系統(tǒng)。”
CXL 2.0是三星有史以來第一個支持內(nèi)存池（Pooling）的產(chǎn)品。內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù)，它將服務(wù)器平臺上的多個CXL內(nèi)存塊綁定在一起，形成一個內(nèi)存池，使多個主機能夠根據(jù)需要從池中動態(tài)分配內(nèi)存。這項新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效，從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強服務(wù)器內(nèi)存中去。
CXL2.0 內(nèi)存池
三星電子計劃于今年年底之前開始量產(chǎn)這一最新的CXL 2.0 DRAM，并準備推出多種容量的產(chǎn)品，以滿足快速變化的下一代計算市場，進一步加速擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)。
CXL作為下一代內(nèi)存可擴展設(shè)備，能夠為高性能服務(wù)器系統(tǒng)中與CPU一起使用的加速器、DRAM和存儲設(shè)備提高效率。由于它與主內(nèi)存（main DRAM）共同使用時可擴大帶寬和容量，該技術(shù)的進步有望在人工智能（AI）和機器學(xué)習(xí)（ML）等核心技術(shù)，對處理高速數(shù)據(jù)的需求極大增加的下一代計算市場引起轟動。
