上海和舊金山2014年7月8日電 /美通社/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡(jiǎn)稱“中微”）今日發(fā)布 Primo iDEA?（“雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)”）-- 這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。Primo iDEA?主要針對(duì)2X納米及更先進(jìn)的刻蝕工藝，運(yùn)用中微已被業(yè)界認(rèn)可的 D-RIE 刻蝕技術(shù)和 Primo 平臺(tái)，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷（PID），提高了工藝的靈活性，減少了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率并使占用生產(chǎn)空間更優(yōu)化。
對(duì)于2X納米及更先進(jìn)刻蝕工藝的芯片來(lái)說，它們對(duì)表面電荷的積累極其敏感，并且面臨著PID帶來(lái)的潛在風(fēng)險(xiǎn)。Primo iDEA?可將4個(gè)等離子體反應(yīng)臺(tái)和2臺(tái)非接觸等離子體除膠反應(yīng)器整合在同一臺(tái)設(shè)備中，能夠替代原來(lái)需要2臺(tái)等離子體刻蝕機(jī)、1臺(tái)除膠器、1臺(tái)濕法清洗器等4個(gè)機(jī)臺(tái)所加工的后端過程。這一獨(dú)特的整合方法使工藝步驟得到了優(yōu)化，從而避免了因等離子體接觸引發(fā)的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產(chǎn)量，減少了生產(chǎn)成本，并較大程度上減少了機(jī)臺(tái)的占地面積。Primo iDEA?同時(shí)擁有等離子體刻蝕和非接觸的等離子體源除膠功能（DSA），是大批量生產(chǎn)較復(fù)雜的極小尺寸芯片中集成多步制程的較佳選擇。
“Primo iDEA?目前已有多臺(tái)進(jìn)入先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線，并已證明在避免等離子體接觸器件帶來(lái)的損害上表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)又減少了所需機(jī)臺(tái)的數(shù)量。”中微副總裁兼CCP刻蝕產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理麥?zhǔn)肆x說，“采用 Primo iDEA?之后，客戶能夠節(jié)省20%的生產(chǎn)成本，并獲得更高的生產(chǎn)效率。對(duì)于某一特定的后端制程來(lái)說，客戶過去需要5道工序在多種機(jī)臺(tái)上完成，現(xiàn)在只需3道工序在一臺(tái)設(shè)備上完成，總體上節(jié)省了50%的工藝加工時(shí)間。”
中微于2004年領(lǐng)先開發(fā)了具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的等離子體刻蝕技術(shù)。該技術(shù)具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨(dú)立控制離子密度和能量，并確保芯片加工高重復(fù)性。結(jié)合中微具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的離子控制技術(shù)，它們能夠共同提高芯片加工的穩(wěn)定性，并進(jìn)一步擴(kuò)大工藝窗口。Primo iDEA?使用的除膠配套系統(tǒng)采用了性價(jià)比較高的雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產(chǎn)生的活性反應(yīng)物質(zhì)，能均勻地傳送到晶圓表面移除光刻膠，這一過程中等離子體并不會(huì)直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷（PID）的風(fēng)險(xiǎn)。
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