深圳2026年7月20日 /美通社/ -- 隨著數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)負載持續(xù)增長，新舊存儲接口平臺SATA與PCIe長期并存。面向多協(xié)議、多平臺部署需求，德明利推出首顆自研企業(yè)級固態(tài)硬盤eSSD主控芯片H3361，該芯片支持PCIe NVME和SATA AHCI雙模式，集成硬件加速、介質(zhì)管理、數(shù)據(jù)保護、安全引擎及功耗控制能力，靈活適配數(shù)據(jù)中心多元部署需求，推動企業(yè)級存儲系統(tǒng)平滑升級。

雙模設(shè)計，適配數(shù)據(jù)服務(wù)中心多元存儲需求

德明利H3361支持SATA 3.0與NVMe 1.3協(xié)議，采用統(tǒng)一PHY接口實現(xiàn)硬件資源整合，兩種模式可共享中間處理單元與后端NAND控制器資源。在同一主控平臺上，H3361通過相同PCB設(shè)計，通過板級跳線與固件配置形成SATA或NVMe企業(yè)級SSD方案，降低多接口產(chǎn)品的重復(fù)開發(fā)與維護成本，既適用于對性能要求嚴苛的數(shù)據(jù)中心場景，也能滿足傳統(tǒng)服務(wù)器架構(gòu)的存儲升級需求。

軟硬協(xié)同，兼顧企業(yè)級場景的性能、穩(wěn)定與安全可靠

• 性能加速，高頻數(shù)據(jù)處理更高效

H3361集成4通道NAND接口，支持3D TLC閃存及最高4TB容量，在SATA模式下順序讀寫性能最高可達560/530 MB/s，穩(wěn)態(tài)隨機讀寫性能可達100K/55K  IOPS；在NVMe模式下，順序讀寫性能最高可達1600/800 MB/s，穩(wěn)態(tài)隨機讀寫性能可達200K/55K IOPS。同時，芯片集成自研LDPC糾錯算法與硬件RAID機制，并結(jié)合磨損均衡、壞塊管理等介質(zhì)管理技術(shù)，穩(wěn)固數(shù)據(jù)處理并延長閃存使用壽命。

• 流控算法，復(fù)雜負載下持續(xù)運行更穩(wěn)定

H3361集成FTL與Trim硬件加速模塊，將高頻地址映射和空間管理任務(wù)交由專用硬件處理，提升小塊隨機數(shù)據(jù)的處理效率。與此同時，芯片通過流控算法動態(tài)平衡前臺讀寫與后臺維護任務(wù)，降低資源競爭造成的性能波動，實現(xiàn)兼顧處理效率與持續(xù)穩(wěn)定的企業(yè)級性能表現(xiàn)。

• 國密二級認證，強化固件可信更安全

H3361支持SM2、SM3、SM4國密算法及RSA、SHA、AES等國際算法，具備國密二級認證及安全啟動能力。芯片內(nèi)置安全可信執(zhí)行環(huán)境，可根據(jù)不同客戶和應(yīng)用環(huán)境配置安全策略，強化固件啟動、升級與運行鏈路的可信保護，全面保障企業(yè)數(shù)據(jù)安全。

低功耗設(shè)計，助力數(shù)據(jù)中心綠色節(jié)能

面向服務(wù)器及高密度存儲環(huán)境，H3361 Idle功耗低于0.35W、Active功耗低于1.6W，并提供三檔可調(diào)功耗模式，在保障數(shù)據(jù)處理性能的同時，有助于降低整盤發(fā)熱與系統(tǒng)散熱壓力，兼顧企業(yè)級SSD長期在線運行的穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)中心整體能效。

作為德明利首顆企業(yè)級SSD主控芯片，H3361進一步完善了德明利從主控芯片到固件自研、從方案驗證到系統(tǒng)適配的全棧技術(shù)閉環(huán)。未來，德明利將持續(xù)推進企業(yè)級存儲底層技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品迭代，為數(shù)據(jù)中心和行業(yè)客戶提供穩(wěn)定、可靠、安全的存儲方案。